《光伏制造行业规范条件（2021 年本）》全文一览(2)

　　（四）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

　　1.多晶硅满足《电子级多晶硅》（GB/T 12963）3 级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB/T 35307）特级品的要求。

　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于 2.5μs，碳、氧含量分别小于 6ppma 和 8ppma；P 型单晶硅片少子寿命不低于 80μs，N 型单晶硅片少子寿命不低于 700μs，碳、氧含量分别小于 1ppma 和 14ppma。

　　3.多晶硅电池和单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于 20.5%和 23%。

　　4.多晶硅组件和单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于 18.4%和 20%。

　　5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜组件的平均光电转换3效率分别不低于 13%、16%、15%、15%。

　　（五）晶硅组件衰减率首年不高于 2.5%，后续每年不高于 0.6%，25 年内不高于 17%；薄膜组件衰减率首年不高于5%，后续每年不高于 0.4%，25 年内不高于 15%。

　　三、资源综合利用及能耗

　　（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。

　　（二）光伏制造项目电耗应满足以下要求：

　　1.现有多晶硅项目还原电耗小于 60 千瓦时/千克，综合电耗小于 80 千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于50 千瓦时/千克，综合电耗小于 70 千瓦时/千克。

　　2.现有硅锭项目平均综合电耗小于 7.5 千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于 6.5 千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合电耗的增加幅度不得超过 0.5 千瓦时/千克。

　　3.现有硅棒项目平均综合电耗小于 30 千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于 28 千瓦时/千克。

　　4.现有多晶硅片项目平均综合电耗小于 25 万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于 20 万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合电耗小于 20 万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于 15 万千瓦时/百万片。

　　5.晶硅电池项目平均综合电耗小于 8 万千瓦时/MWp。

　　6.晶硅组件项目平均综合电耗小于 4 万千瓦时/MWp，薄4膜组件项目平均电耗小于 50 万千瓦时/MWp。

　　（三）光伏制造项目生产水耗应满足以下要求：

　　1.多晶硅项目水循环利用率不低于 95%；

　　2.硅片项目水耗低于 1300 吨/百万片；

　　3.P 型晶硅电池项目水耗低于 750 吨/MWp，N 型晶硅电池项目水耗低于 900 吨/MWp。

　　（四）其他生产单耗需满足国家相关标准。

　　四、智能制造和绿色制造

　　（一）鼓励企业将自动化、信息化及智能化等贯穿于设计、生产、管理和服务的各个环节，积极开展智能制造，提升本质安全水平，降低运营成本，缩短产品生产周期，提高生产效率，降低产品不良品率，提高能源利用率。

　　（二）鼓励企业参与光伏行业绿色制造相关标准制修订工作。参照光伏行业绿色制造相关标准要求，建设绿色工厂，生产绿色设计产品，打造绿色供应链，并开展绿色设计产品、绿色工厂、绿色供应链等评价工作。鼓励企业在生产制造过程中优先使用绿色清洁电力，可采用购买绿色电力证书等方式满足绿色制造要求。

　　（三）鼓励企业落实生产者责任延伸制度，建立废弃光伏产品回收与利用处理网络体系。