3nm芯片什么时候出来？三星公司3纳米芯片上市时间2022年(2)

　　三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

　　GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线（nanowire）作为晶体管的鳍（fin），二是MBCFET（多桥通道场效应晶体管），使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片（nanosheet）。

　　三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

　　按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

　　或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。

　　三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。